2nm芯片研发遭遇瓶颈:没ASML下一代NA EUV光刻机搞不掂
日前,IMEC首席执行官Luc Van den hove在公开路线图时表示,当前的EUV光刻设备其实可以响应到2nm的微缩水平,不过,想要超越,必须要靠下一代高NA EUV光刻机。
他督促ASML在未来3年内,全力投产高NA光刻机。
所谓高NA也就是光刻机的透镜和反射镜数值孔径达到0.55,进而增加光刻分辨率,以便制备更精密的为电路图像。当前的EUV光刻机均停留在0.33的水平。
一切顺利的话,ASML会在明年推出其首款高NA EUV光刻机,Intel、三星和台积电都争相第一时间部署进厂,其中Intel下手最快。
这款光刻机价值高达4亿美元(约合26亿元人民币),组装好的体积有双层巴士大、重超200吨。
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